mos管工作过程中加不加热沉的决定性因素是发热量。对于大电流的快速开关控制，发热量非常大，需要加散热片散热。如果是小电流的工作场景，没必要加散热片。
如果mos管很烫，就要加散热片，否则会烧坏芯片。
容易击穿的器件有两种，一种是mos管，一种是电解电容。mos管发热，散热做不好容易烧坏。电解电容耗时长，容易包装。从正面可以看到，一般拆开包装就是坏的。
b660m-kd4只有62相供电，其中6相是cpu用的，也就是运行不到13700k的核心频率。电源少，运行不理想，mos管发热高。至少b660m-plus的10相电源运行在13700k，全是睿频。
1.有发烧。电路设计的问题是让mos管工作在线性工作状态，而不是开关状态。这也是mos管发热的一个原因。如果用n-mos做开关，g级电压比电源高几v才能完全导通，p-mos则相反。如果不完全打开，电压降过大会造成功耗，等效dc阻抗会比较大，电压降增大，那么u*i也会增大，损耗就意味着发热。这是设计电路最忌讳的错误。
2，频率太高，主要是因为有时候过分追求体积，导致频率增加，mos管上的损耗增加，所以发热也增加。
3，散热设计做的不够好，电流过大。mos管的标称电流值一般需要良好的散热才能达到。因此，如果id小于最大电流，可能会引起严重发热，需要足够的辅助鳍片。
管选择错误，功率判断错误，没有充分考虑mos管内阻，导致开关阻抗增大。
这是我最近处理mos管发热问题时的一个简要总结。
答:led日光灯电源升温到一定程度就会烧坏。我也看到有人在行业论坛发帖讨论这个问题。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降低、电感或变压器选择、led电流等方面对led日光灯电源发热烧mos管技术进行探讨。
(a)芯片加热
本内容主要针对内置功率调制器的高压驱动芯片。如果芯片消耗的电流是2ma，给芯片施加300v的电压，芯片的功耗是0.6w，当然会造成芯片发热。驱动芯片的最大电流来自驱动功率mos管的消耗，简单计算公式为icvf(考虑充电的电阻效益，实际i2cvf，其中c为功率mos管的cgs电容，v为功率晶体管导通时的栅极电压，所以为了降低。芯片的功耗必须降低c、v、f，如果c、v、f不能改变，请想办法把芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。简单来说，考虑更好的散热。
(2)功率管加热
功率管的功耗分为两部分，开关损耗和导通损耗。需要注意的是，在大多数场合，尤其是led商用驱动应用中，开关损伤远大于传导损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs、芯片的驱动能力和工作频率有关，所以功率管的发热可以从以下几个方面解决:
你可以不要单方面根据导通电阻来选择mos功率晶体管，因为内阻越小，cgs和cgd的电容越大。比如1n60的cgs在250pf左右，2n60的cgs在350pf左右，5n60的cgs在1200pf左右。差别太大了。在选择功率管的时候，足够了。
b，剩下的就是频率和芯片驱动能力，这里只谈频率的影响。频率也是和导通损耗成正比的，所以功率管发热的时候，首先要想想频率是不是有点高。尽量降低频率！但需要注意的是，当频率降低时，为了获得相同的负载能力，必须增加峰值电流或者增加电感，这可能导致电感进入饱和区。如果电感的饱和电流足够大，可以考虑将ccm(连续电流模式)改为dcm(不连续电流模式)，所以需要增加一个负载电容。
(3)工作频率的降频
这也是用户调试过程中的普遍现象，频率降低主要是两方面原因造成的。输入电压与负载电压之比小，系统干扰大。对于前者，注意不要把负载电压设置的太高，虽然负载电压高，但是效率也会高。对于后者，可以尝试以下几个方面:
a、将最小电流设置到一个较小的点
b、清洁布线，尤其是感测的关键路径。
c、选择小电感点或具有闭合磁路的电感点。
d，加rc低通滤波，这个影响有点不好，c的一致性不好，偏差有点大，但是照明应该够用了。
无论如何，降频没有好处，只有坏处，所以必须解决。
(4)电感器或变压器的选择
终于，我说到点子上了。我还没有t还没开始，只能瞎说饱和度的影响。很多用户反映，a产生的电感同样驱动电路没有问题，b产生的电感电流变小了。这种情况下，请看电感电流波形。有些工程师没有注意到这种现象，直接调整感应电阻或者工作频率来达到需要的电流，可能会严重影响led的使用寿命。
因此，在设计之前，合理的计算是必要的。如果理论计算参数与调试参数相差较大，就要考虑是否降频，变压器是否饱和。当变压器饱和时，l会变小，导致传输峰值电造成延时。电流增量急剧上升，因此led的峰值电流也增加。在平均电流不变的前提下，只能看光衰。
